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圖像傳感器種類及參數(shù)解析
來源:賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2014/12/19

  圖像傳感器的功能是光電轉(zhuǎn)換。關(guān)鍵的參數(shù)有像素、單像素尺寸、芯片尺寸、功耗。技術(shù)工藝上有前照式(FSI)、背照式(BSI)、堆棧式(Stack)等。以下簡單介紹。

  一、圖像傳感器架構(gòu)

  圖像傳感器從外觀看分感光區(qū)域(Pixel Array),綁線Pad,內(nèi)層電路和基板。感光區(qū)域是單像素陣列,由多個單像素點組成。每個像素獲取的光信號匯集在一起時組成完整的畫面。

  CMOS芯片由微透鏡層、濾色片層、線路層、感光元件層、基板層組成。

  由于光線進入各個單像素的角度不一樣,因此在每個單像素上表面增加了一個微透鏡修正光線角度,使光線垂直進入感光元件表面。這就是芯片CRA的概念,需要與鏡頭的CRA保持在一點的偏差范圍內(nèi)。

  電路架構(gòu)上,我們加入圖像傳感器是一個把光信號轉(zhuǎn)為電信號的暗盒,那么暗盒外部通常包含有電源、數(shù)據(jù)、時鐘、通訊、控制和同步等幾部分電路。可以簡單理解為感光區(qū)域(Pixel Array)將光信號轉(zhuǎn)換為電信號后,由暗盒中的邏輯電路將電信號進行處理和一定的編碼后通過數(shù)據(jù)接口將電信號輸出。

  二、圖像傳感器關(guān)鍵參數(shù)

  1.像素:指感光區(qū)域內(nèi)單像素點的數(shù)量,比如5Maga pixel,8M,13M,16M,20M,像素越多,拍攝畫面幅面就越大,可拍攝的畫面的細(xì)節(jié)就越多。

  2.芯片尺寸:指感光區(qū)域?qū)蔷距離,通常以英制單位表示,比如1/4inch,1/3inch,1/2.3inch等。芯片尺寸越大,材料成本越高。

  3.單像素尺寸:指單個感光元件的長寬尺寸,也稱單像素的開口尺寸,比如1.12微米,1.34微米,1.5微米等。開口尺寸越大,單位時間內(nèi)進入的光能量就越大,芯片整體性能就相對較高,最終拍攝畫面的整體畫質(zhì)相對較優(yōu)秀。單像素尺寸是圖像傳感器一個相當(dāng)關(guān)鍵的參數(shù)。

  其他更深入的參數(shù)比如SNR,Sensitivity,和OB Stable等在這里不做介紹,朋友們可以研究探討。

  三、前照式(FSI)與背照式(BSI)

  傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器是前照式結(jié)構(gòu)的,自上而下分別是透鏡層、濾色片層、線路層、感光元件層。采取這個結(jié)構(gòu)時,光線到達(dá)感光元件層時必須經(jīng)過線路層的開口,這里易造成光線損失。

  而背照式把感光元件層換到線路層的上面,感光層只保留了感光元件的部分邏輯電路,這樣使光線更加直接的進入感光元件層,減少了光線損失,比如光線反射等。因此在同一單位時間內(nèi),單像素能獲取的光能量更大,對畫質(zhì)有明顯的提升。不過該結(jié)構(gòu)的芯片生產(chǎn)工藝難度加大,良率下降,成本相對高一點。

  四、堆棧式(Stack)

  堆棧式是在背照式上的一種改良,是將所有的線路層挪到感光元件的底層,使開口面積得以最大化,同時縮小了芯片的整體面積。對產(chǎn)品小型化有幫助。另外,感光元件周邊的邏輯電路移到底部之后,理論上看邏輯電路對感光元件產(chǎn)生的效果影響就更小,電路噪聲抑制得以優(yōu)化,整體效果應(yīng)該更優(yōu)。業(yè)內(nèi)的朋友應(yīng)該了解相同像素的堆棧式芯片的物理尺寸是比背照式芯片的要小的。但堆棧式的生產(chǎn)工藝更大,良率更低,成本更高。索尼的IMX214(堆棧式)和IMX135(背照式)或許很能說明上述問題。

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